Вчені з UNIST створили найтонший оксидний напівпровідник, який володіє високою оптичною прозорістю

56 Views Comment Off

Група дослідників з Національного інституту науки і техніки Ульсан (UNIST), Корея, очолювана професором Зонгуном Лі, розробила новий метод виробництва самого тонкого на сьогоднішній день оксидного напівпровідника. Цей матеріал, оксид цинку одноатомної товщини, відкриває масу нових можливостей для створення тонких, прозорих і гнучких електронних пристроїв, дисплеїв і т.п.

Нагадаємо, що сучасна електронна та напівпровідникова техніка весь час прагне до скорочення розмірів базових компонентів і до збільшення ефективності їх роботи. Це стосується і традиційних кремнієвих напівпровідникових технологій, які, тим не менш, вже практично наблизилися до мінімальної теоретичної межі, обмеження якої визначені деякими базовими фізичними законами. Тому досить велика кількість досліджень зосереджено на відмінних від кремнію напівпровідникових матеріалах, які розглядаються в якості альтернативних варіантів.

Двомірний оксид цинку вирощується в буквальному сенсі атом за атомом на графеновій підкладці (основі), використовуючи так звану технологію зміщення шарів. Отримані вченими зразки напівпровідникового матеріалу дозволили встановити експериментальним шляхом, що у матеріалу є досить широка заборонена зона (до 4.0 еВ), а через стільникововидну будову (подібну до графену), цей матеріал володіє високою оптичною прозорістю.

Для порівняння, у існуючих на сьогоднішній день оксидних напівпровідників іншого типу є заборонена зона порядку 2.9-3.5 еВ. І чим більше значення забороненої зони, тим якісніше буде робота напівпровідника, тим меншим струмом витоку і меншим власним шумом буде володіти пристрій з цього матеріалу.
“Створений нами напівпровідниковий матеріал володіє величезним потенціалом для його застосування в оптоелектронних технологіях наступного покоління, де потрібні хороші напівпровідникові якості, висока прозорість і гнучкість використовуваних матеріалів” – розповідає професор Лі, – “Але для практичного застосування нашого досягнення нам доведеться ще чимало попрацювати, адже для цього буде потрібно, як мінімум, розробити відповідну технологію виробництва нового матеріалу в промислових масштабах”.

... ... .
In : Техно

Related Articles

404